Η Samsung παρουσίασε στο Computex 2026 το πρωτότυπο της μνήμης HBM5 Stack

Σάμσουγκ Ελεκτρονίκς — πρώτες κινήσεις προς το HBM5

Πρόσφατα η Σάμσουγκ Ελεκτρονίκς ανακοίνωσε την έναρξη поставок образцов памяти HBM4E, αλλά ταυτόχρονα αναπτύσσει ενεργά τη επόμενη γενιά – το HBM5. Στην έκθεση Computex 2025 η εταιρεία παρουσίασε μόνο μια μεγάλη μοντελοποίηση του χипа HBM5, για να δώσει μια γενική εικόνα της δομής του. Πλέον φαίνεται ότι η τεχνολογία θα είναι περίπλοκη και απαιτητική.

Κύριες λεπτομέρειες ανάπτυξης
Παράμετρος Τι κάνει η Σάμσουγκ Βασικό κρυστάλλο Αυτοπαραγωγή σε 2‑nm διαδικασία Πλήθος στρώσεων DRAM Από 12 έως 20 (τεχνολογία τάξης 1c) Transistors GAA Προγραμματίζεται χρήση σε 2‑nm χипа Διαδικασία κάτω από 1 nm Η εταιρεία είναι σίγουρη ότι θα μπορέσει να την κατακτήσει στο μέλλον
Ο τεχνικός διευθυντής της μονάδας Σάμσουγκ Ελεκτρονίκς, Song Jaehyuk, επιβεβαίωσε τη συμμετοχή της εταιρείας στην ανάπτυξη και εφαρμογή αυτών των τεχνολογιών. Η ύπαρξη συμβατικής μονάδας επιτρέπει την ικανοποίηση των απαιτήσεων των πιο αυστηρών πελατών, συμπεριλαμβανομένης της Nvidia.

Σύγκριση με το HBM4E
* Το HBM4E χρησιμοποιεί βασικό κρυστάλλο 4‑nm και διαδικασία 1c για την κατασκευή DRAM‑chips που σχηματίζουν τη μνήμη.
* Το HBM5 θα προσφέρει:
* Πιο λεπτό κρυστάλλο (2 nm) και πιο ευέλικτο πλήθος στρώσεων (12–20).
* Heat Path Block (HPB) – κανάλι αποστράγγισης θερμότητας για αποτελεσματική ψύξη.
* Αυξημένη ταχύτητα ανταλλαγής δεδομένων χάρη σε βελτιωμένη αρχιτεκτονική.

Η τεχνολογία HPB έχει ήδη δοκιμαστεί με το HBM4E, και η Σάμσουγκ σχεδιάζει να χρησιμοποιήσει προχωρημένες μεθόδους αποστράγγισης θερμότητας για την αύξηση της σταθερότητας της μνήμης. Η μαζική παραγωγή του HBM5 έχει προγραμματιστεί από το 2028, και στο πλαίσιο του HBM5E τα DRAM κρυστάλλια θα παραχθούν με πιο προχωρημένη διαδικασία 1d.

Τι κάνουν οι ανταγωνιστές
* Η SK hynix χρησιμοποιεί παρόμοια τεχνική ψύξης – iHBM. Αυτό σημαίνει ότι η λύση της Σάμσουγκ δεν είναι μοναδική όσον αφορά την αποστράγγιση θερμότητας.
* Η SK hynix επίσης εφαρμόζει 2‑nm χипа στο πλαίσιο του HBM5 και σχεδιάζει μαζική παραγωγή με χρήση iHBM.

Συμπέρασμα
Η Σάμσουγκ Ελεκτρονίκς ήδη αναπτύσσει το HBM5 βασισμένο σε διαδικασία 2‑nm, προβλέποντας έως 20 στρώσεις DRAM και την καινοτόμο αποστράγγιση HPB. Η μαζική κυκλοφορία έχει προγραμματιστεί για το 2028, ενώ ανταγωνιστές όπως η SK hynix εφαρμόζουν παρόμοιες λύσεις (iHBM). Γενικά, η Σάμσουγκ δείχνει εμπιστοσύνη στην κατάκτηση τεχνολογιών κάτω από 1 nm και την προθυμία να καλύψει τις απαιτήσεις των μεγαλύτερων πελατών.