Η Samsung και η SK Hynix επένδυσαν σχεδόν ένα δισεκατομμύριο δολάρια στην αύξηση της παραγωγής μνήμης στη Κίνα την περασμένη χρονιά

Πώς οι νοτιοκορεατικοί γίγαντες της μνήμης διατηρούν την πρόσβαση σε αμερικανικό εξοπλισμό και αναπτύσσουν παραγωγή στην Κίνα

Κατά τη διάρκεια της προεδρίας του Τζόι Μπέιντεν, οι αρχές των ΗΠΑ προσπαθούσαν να περιορίσουν τις δυνατότητες των νοτιοκορεατικών κατασκευαστών να επεκτείνουν τα εργοστάσιά τους στην Κίνα. Αυτές οι μονάδες είναι κρίσιμες για την παροχή μνήμης σε όλο τον κόσμο. Παρ' όλα αυτά, η Samsung και η SK Hynix κατάφεραν να διατηρήσουν πρόσβαση στον αμερικανικό εξοπλισμό, επενδύοντας ταυτόχρονα στη βελτίωση των κινεζικών τους εγκαταστάσεων.

1. Samsung Electronics
Δείκτης Δεδομένα Επενδύσεις στην Σιάν (2023) $344 mln Αύξηση σε σύγκριση με το 2022 +67,5 % Ρόλος του εργοστασίου Μονάδα εξ αποστάσεως της Samsung για NAND‑μνήμη· καλύπτει έως και το 40 % του παγκόσμιου όγκου παραγωγής Ιστορία επενδύσεων Μετά την εισφορά $464 mln το 2019, η εταιρεία δεν πραγματοποίησε σημαντικές χρηματοδοτήσεις για τέσσερα χρόνια. Το 2024 δόθηκαν $184 mln και πέρυσι ο ποσός αυξήθηκε σχεδόν διπλά.
Έτσι, η Σιάν έγινε στρατηγικό κέντρο για τη Samsung, ιδιαίτερα με την αύξηση της ζήτησης μνήμης στην εποχή της τεχνητής νοημοσύνης.

2. SK Hynix
Δείκτης Δεδομένα Συνολικές επενδύσεις στη Κίνα (2023) πάνω από $663 mln Εργοστάσια – εργοστάσιο DRAM στην Ουσι·
– 3D‑NAND εργοστάσιο στη Ντάλιαν, αγορασμένο από την Intel το 2022. Επενδύσεις στην Ουσι (2023) διπλασιάστηκαν σε $190 mln Επενδύσεις στη Νταλαιν (2023) $293 mln (1,5× μεγαλύτερες από το 2024) Οικονομική βαρύτητα ≈ 1 τριليون νοτιοκορεατικά φουν· σημαντική ποσότητα για την εταιρεία
Η SK Hynix επεκτείνει ενεργά την παραγωγή DRAM και 3D‑NAND, ώστε να καλύψει τη αυξανόμενη ζήτηση μνήμης από AI και cloud υπηρεσίες.

3. Τεχνολογικά σχέδια
Εταιρεία Προτεινόμενο προϊόν Πού θα παραχθεί Samsung 236‑layer 3D‑NAND (μετάβαση από 128‑layer) Κίνα Samsung 400‑layer 3D‑NAND Νότια Κορέα SK Hynix Μεταφορά του εργοστασίου DRAM στην Ουσι στη τέταρτη γενιά 10‑nm (1a) Ουσι, Κίνα
- Η Samsung σκοπεύει να ξεκινήσει πιο προηγμένη μνήμη 236‑layer στην Κίνα, ώστε να παραμείνει ανταγωνιστική παρά τις περιοριστικές τεχνολογικές προκλήσεις της χώρας.
- Η SK Hynix σχεδιάζει να αναβαθμίσει τη διαδικασία του εργοστασίου DRAM στην Ουσι σε 10‑nm (1a), εξασφαλίζοντας αποτελεσματική παραγωγή DDR5. Το εργοστάσιο ήδη καλύπτει πάνω από το 30 % του παγκόσμιου όγκου DRAM της εταιρείας.

Συμπέρασμα
Παρά τις προσπάθειες των ΗΠΑ να περιορίσουν την πρόσβαση των νοτιοκορεατικών κατασκευαστών στον αμερικανικό εξοπλισμό, η Samsung και η SK Hynix συνεχίζουν να επενδύουν εκατοντάδες εκατομμύρια δολάρια στην Κίνα. Αυτό τους επιτρέπει να διατηρούν ανταγωνιστικότητα, να διευρύνουν την παραγωγή NAND‑μνήμης και DRAM και να προετοιμαστούν για μελλοντική αύξηση της ζήτησης, ιδιαίτερα στον τομέα της τεχνητής νοημοσύνης.