Η Samsung διακόπτει την παραγωγή 2‑D NAND και μετατρέπει τα εργοστάσια στην κατασκευή HBM4.

Η Samsung τερματίζει την παραγωγή 2‑D NAND‑flash και ανακατευθύνει τα εργοστάσια προς το HBM4

Φέτος η Samsung ανακοίνωσε πλήρη εγκατάλειψη της παραγωγής flash μνήμης 2‑D NAND. Οι υπόλοιπες γραμμές θα κατευθυνθούν στην κατασκευή μνήμης HBM4, που αυτή τη στιγμή έχει τεράστια ζήτηση λόγω της ταχείας ανάπτυξης του AI.

Τι συμβαίνει στο εργοστάσιο Χουασόν
Σύμφωνα με το *The Elec Korea* η Samsung σκοπεύει να κλείσει την παραγωγή 2‑D NAND στη μονάδα της στο Χουασόν. Αντί για πλήρη αποσυρση της γραμμής, η εταιρεία θα τη μετατρέψει σε διαδικασία μέταλλωσης DRAM – εφαρμογή των διαδρομών που συνδέουν τα κύτταρα μνήμης εντός του χิป.

- Ισχύς γραμμής 12: από 80 000 έως 100 000 12‑διαμέτρων πλακίδια το μήνα.

- Αυτά τα πλακίδια χρησιμοποιούνταν αποκλειστικά για 2‑D NAND‑flash, αλλά η τεχνολογία έχει φθαρεί μετά την εμφάνιση του 3‑D NAND.

Τώρα σε αυτή τη γραμμή θα παράγεται DRAM έκτης γενιάς (10 nm), που χρησιμοποιείται στο HBM4. Η Samsung προβλέπει ότι η συνολική μηνιαία χωρητικότητα παραγωγής DRAM – συμπεριλαμβανομένων των γραμμών 3 και 4 στην Πχοντεκ – θα φτάσει περίπου σε 200 000 πλακίδια μέχρι το τέλος του δεύτερου εξαμήνου.

Γιατί αποχωρεί το 2‑D NAND
Η μνήμη 2‑D NAND εμφανίστηκε για πρώτη φορά στα τέλη της δεκαετίας του '90. Τα τελευταία χρόνια οι παραγωγοί την έχουν εγκαταλείψει σταδιακά, μεταβαίνοντας σε πιο προηγμένο 3‑D NAND. Η τεχνολογία 3‑D NAND έχει σημαντικά πλεονεκτήματα: μεγαλύτερη χωρητικότητα, καλύτερη αξιοπιστία και πολύ υψηλότερες ταχύτητες.

Σύμφωνα με το σχέδιο της Samsung, η τελική διακοπή παραγωγής του 2‑D NAND προγραμματίζεται για τον Μάρτιο. Μετά από αυτό το εργοστάσιο θα μεταβεί πλήρως στην παραγωγή πιο σύγχρονων λύσεων – συμπεριλαμβανομένου του HBM4, που είναι ζήτηση σε υψηλής απόδοσης υπολογιστικά συστήματα και εφαρμογές AI.