Η Intel παρουσίασε την τεχνολογία 18A‑P: πιο γρήγορη, ενεργειακά αποδοτικότερη και με βελτιωμένο ψύξη

Η Intel ενισχύει τη σειρά επεξεργαστών 18 A και ετοιμάζει μια νέα έκδοση – 18 A‑P

Η εταιρεία Intel συνεχίζει την μαζική παραγωγή μικροσυσκευών που βασίζονται στη διαδικασία τεχνολογίας 18 A (1,8 nm). Ταυτόχρονα βρίσκεται σε εξέλιξη η βελτιωμένη έκδοση αυτής της διαδικασίας – 18 A‑P, η οποία αναμένεται να κυκλοφορήσει στην αγορά τα επόμενα τρίμηνα.

Τι νέο υπάρχει στο 18 A‑P;
Παράμετρος Περιγραφή
Transistors Εισάγονται δύο νέοι τύποι RibbonFET με περιβάλλουσα πύλη. Επιτρέπουν την αύξηση των συχνοτήτων κρίσιμων μονάδων και ταυτόχρονα τη μείωση της ενεργειακής κατανάλωσης σε λιγότερο απαιτητικές περιοχές.
Control of Variability Βελτιώθηκε η διαχείριση της διάσπασης παραμέτρων των κρυστάλλων: η απόκλιση «γρήγορων» από «αργών» μειώθηκε, και η διασπορά στο κέντρο‑εκτός πλακέτας μειώθηκε.
Threshold Voltage Προστέθηκαν περισσότερες επιλογές ορίου τάσης (από 4 έως πάνω από 5 ζεύγη), κάτι που αυξάνει την ακρίβεια της ταξινόμησης των κρυστάλλων και το ποσοστό προϊόντων που πληρούν τις προδιαγραφές.
Heat Dissipation Η αγωγιμότητα θερμότητας βελτιώθηκε κατά ~50 %. Αυτό επιτρέπει την αντιστάθμιση της υψηλότερης πυκνότητας ισχύος των RibbonFET με περιβάλλουσα πύλη και μειώνει τη φθορά σε μακροχρόνια θέρμανση.
Energy Consumption / Performance Σε σύγκριση με το βασικό 18 A, οι επεξεργαστές μπορούν είτε να αυξήσουν την αποδοτικότητα κατά 9 % με την ίδια ενέργεια, είτε να μειώσουν τη ληφθείσα ισχύ έως και 18 %, διατηρώντας την προηγούμενη απόδοση και πολυπλοκότητα.

Πώς φαίνεται στην πράξη
- Διατήρητες γεωμετρικοί παράγοντες: το βήμα πύλης (50 nm) και οι ύψους των κελιών (180 nm / 160 nm) παραμένουν τα ίδια, επιτρέποντας τη μεταφορά υφιστάμενων σχεδίων από το 18 A στο 18 A‑P χωρίς καρδιακές αλλαγές. Ωστόσο, για την επίτευξη της μέγιστης αποδοτικότητας απαιτείται ακόμη πρόσθετη βελτιστοποίηση αρχιτεκτονικής.

- Βελτιστοποίηση μεταλλικών γραμμών: άλλαξαν η αντίσταση και η χωρητικότητα των μετάλλων, κάτι που επηρεάζει την ταχύτητα σήματος, την ενεργειακή κατανάλωση και τις καθυστερήσεις (οι συγκεκριμένοι αριθμοί δεν έχουν αποκαλυφθεί ακόμη).

- Βελτιώσεις στην αξιοπιστία: πιο σταθερό ελάχιστο λειτουργικό τάση Vmin για λογική και SRAM βελτιώνει την ποιότητα λειτουργίας σε χαμηλές ροές.

Γιατί είναι σημαντικό
1. Για καταναλωτικές συσκευές – η αύξηση της απόδοσης χωρίς αύξηση της θερμικής απώλειας κάνει τους επεξεργαστές πιο ελκυστικούς για smartphones, φορητούς υπολογιστές και άλλα φορητά gadgets.

2. Για διακομιστές και κέντρα δεδομένων – η βελτιωμένη απορροή θερμότητας και η αντοχή σε υψηλές τάσεις αυξάνουν την αξιοπιστία κατά μακράς διάρκειας λειτουργίας υπό φόρτο.

3. Οικονομικό αποτέλεσμα – η αύξηση του ποσοστού ποιοτικού πυρήνα από μία πλακέτα οδηγεί σε αύξηση της παραγωγής έγκυρων προϊόντων, μειώνοντας το κόστος των επεξεργαστών.

Συμπέρασμα
Η Intel συνεχίζει να αναπτύσσει τη διαδικασία 18 A, ενώ ταυτόχρονα προετοιμάζει μια πιο εξελιγμένη έκδοση 18 A‑P. Οι νέοι RibbonFET transistor, ενισχυμένος έλεγχος ποιότητας και βελτιωμένες θερμικές ιδιότητες υπόσχονται σημαντική αύξηση αποδοτικότητας και αξιοπιστίας, καθιστώντας αυτήν την τεχνολογία ελκυστική τόσο για τους καταναλωτικούς όσο και για τους επαγγελματικούς αγορές.