Η Intel σε συνεργασία με την SoftBank σχεδιάζει να ξεκινήσει τη αντικατάσταση της μνήμης HBM ήδη το 2029.

Η SoftBank και η Intel σχεδιάζουν να εισάγουν στην αγορά τη νέα μνήμη Z‑Angle Memory (ZAM) έως το 2029 έτος

Πώς θα υλοποιηθεί
Οι υπεύθυνες εταιρείες: η SoftBank – μέσω της θυγατρικής Saimemory, που θα ασχολείται με την ανάπτυξη και τις πωλήσεις. Η Intel θα παρέχει τεχνολογίες παραγωγής και συσκευασίας. Συμμετοχή άλλων παικτών: η Fujitsu από τη Ιαπωνία συμμετέχει στο έργο.

Γιατί χρειάζεται η Z‑Angle Memory
* Προβλήματα της υπάρχουσας HBM:

- Πολύ ακριβή και ενεργειακή.
- Καθώς αυξάνονται τα όγκοι παραγωγής, το κλασικό DRAM αντιμετωπίζει έλλειψη πόρων.

* Στόχος του Z‑AM: να προσφέρει μια πιο οικονομική, ενεργειακά αποδοτική εναλλακτική, διατηρώντας παράλληλα υψηλή πυκνότητα δεδομένων.

Τεχνικά χαρακτηριστικά
Παράμετρος | Περιγραφή
---|---
Δομή | Στοίβα πολλών επιπέδων μικροσυσκευών (όμοια με την HBM), αλλά με πιο προχωρημένες τεχνικές συσκευασίας και αρχιτεκτονική.
Πυκνότητα | Η μονάδα πυκνότητας της στοίβας είναι 2‑3 φορές μεγαλύτερη από αυτή της HBM.
Κατανάλωση ενέργειας | Μειώθηκε περίπου κατά το μισό σε σύγκριση με την HBM.
Κόστος παραγωγής | Αναμένεται είτε η διατήρηση του τρέχοντος επιπέδου τιμών, είτε η μείωση έως 40 %.

Τεχνική συσκευασίας
* Η Intel προτείνει τη τεχνολογία NGDB (Next‑Generation Die Bonding), που αυξάνει την ενεργειακή αποδοτικότητα της μνήμης ZAM σε σύγκριση με την HBM.
* Στα πρωτότυπα έχουν ήδη υλοποιηθεί οκτώ επίπεδα DRAM πάνω από το βασικό κρυστάλλινο.

Πλάνο εκκίνησης
1. Προσωρινά πρωτότυπα – παρουσίαση έως το τέλος Μαρτίου 2028 έτος.
2. Μεσαία παραγωγή – έναρξη εντός των επόμενων 12 μηνών μετά την παρουσίαση, δηλαδή περίπου με τη μέση του 2029 έτους.

Έτσι, η SoftBank και η Intel σκοπεύουν να επιταχύνουν την κλίμακα της παραγωγής της Z‑Angle Memory, προσφέροντας μια πιο προσιτή και ενεργειακά αποδοτική επιλογή μνήμης για μελλοντικά υψηλής απόδοσης συστήματα.