Η ASML σχεδιάζει ευρεία εφαρμογή της τεχνολογίας High‑NA EUV ήδη το επόμενο έτος για την παραγωγή μικροεπεξεργαστών με διαστάσεις τρανζίστορ 1,4 nm και λιγότερες.

Συνοπτική περιγραφή

Η νέα φάση της μικροποίησης των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων απαιτεί μετάβαση σε πιο εξελιγμένες μεθόδους φωτογραφικής τεχνολογίας. Στα επόμενα δύο χρόνια η βιομηχανία πρέπει να ξεκινήσει την παραγωγή χипов χρησιμοποιώντας εξοπλισμό κατηγορίας High‑NA EUV, ο οποίος επιτρέπει το επίτευγμα διαστάσεων έως 8 nm σε μία μόνο διείσδυση και ανοίγει τον δρόμο για τεχνολογίες 1,4 nm και λιγότερο από 10 nm (DRAM).

1. Τεχνολογικές δυνατότητες High‑NA EUV
Παράμετρος Αξία Σốλικός άπειρος (NA) 0,55 Ελάχιστο μέγεθος σε μία διείσδυση≤ 8 nm Πιθανά τεχνικά διεργασίες 1,4 nm (ακέραιοι ολοκληρωμένοι κυκλώματα), < 10 nm (DRAM)
Αυτά τα χαρακτηριστικά καθιστούν τον εξοπλισμό ASML Twinscan EXE:5200B και παρόμοιες λύσεις κρίσιμα σημαντικές για τις μελλοντικές μικροηλεκτρονικές τεχνολογίες.

2. Κύριοι παίκτες
Εταιρεία Κατάσταση υλοποίησης Σχόλιο
ASML Παραγωγός High‑NA EUV Πρώτοι πελάτες: Intel, Samsung, SK Hynix TSMC Δεν έτοιμος για μαζική χρήση Τιμή ενός συστήματος – 380 mln USD; προγραμματίζεται αποχώρηση από τα chips 1,4 nm
Intel Στις Δεκέμβριος 2023 εισήγαγε το Twinscan EXE:5200B Προετοιμασία για την κυκλοφορία της τεχνολογίας 14A και συναφούς εξοπλισμού
Samsung Electronics Λήψη του πρώτου σαρωτή τον Δεκέμβριο 2023· δεύτερος – σε αυτό το ημιπρόσθετο έτος Σχεδιάζει να το χρησιμοποιήσει για Exynos 2600 (2 nm) και μελλοντικούς επεξεργαστές Tesla
SK Hynix Εξοικειώνεται με το High‑NA EUV από τον Σεπτέμβριο 2023 Προϋπάρχουσα χρήση της τυπικής EUV φωτογραφίας σε DRAM (10 nm), σχεδιάζει να χρησιμοποιήσει τουλάχιστον πέντε στρώσεις EUV για την έκτη γενιά
Micron Technology Δεν έχει ακόμη καθορίσει τις προθεσμίες υλοποίησης Πιθανά σχέδια για το High‑NA EUV
Rapidus (Ιαπωνία) Εξοικειώνεται με τη τεχνολογία 2 nm· σχεδιάζει 1,4 nm το 2029 Το 2027 πρέπει να ξεκινήσει την μαζική παραγωγή chips 2 nm στο Χόκκαϊδο

3. Οικονομικά στοιχεία
* Το κόστος εξοπλισμού – ένα σύστημα High‑NA EUV κοστίζει περίπου 380 mln USD.

* Η μετάβαση σε πιο ακριβή εξοπλισμό αυξάνει το κόστος παραγωγής, κάτι που τελικά αντικατοπτρίζεται στους καταναλωτές.

* Επομένως οι μεγάλες εταιρείες (TSMC, Rapidus) δείχνουν προσοχή και σχεδιάζουν την υλοποίηση σταδιακά.

4. Αναμενόμενες προθεσμίες
Οι νέοι σαρωτικοί εξοπλισμοί ASML για τη μαζική παραγωγή προηγμένης ημιαγωγικής продукции θα αρχίσουν να χρησιμοποιούνται ενεργά από το 2027–2028. Μέχρι τότε οι εταιρείες θα προσαρμόζουν σταδιακά τις γραμμές παραγωγής τους, ενσωματώνοντας το High‑NA EUV στις υπάρχουσες τεχνικές διεργασίες.

Συμπέρασμα
Η μετάβαση στο High‑NA EUV είναι ένα κρίσιμο βήμα για την επίτευξη διαστάσεων έως 1,4 nm και πιο συμπαγών DRAM. Οι μεγαλύτεροι παγκόσμιοι παίχτες έχουν ήδη ξεκινήσει τις προετοιμασίες, αλλά η μαζική υλοποίηση αναμένεται μόνο σε μερικά χρόνια λόγω των υψηλών εξόδων και της ανάγκης για προσαρμογή των παραγωγικών αλυσίδων.